Ga/Si(111) 表面からの √3x√3 RHEED 図形
入射電子線のエネルギ: 20keV
入射電子線の視射角: 2.6°
入射方位: [11-2]
表面の作製方法: Si(111)7x7表面にGaを0.3ML蒸着
関連文献: Surf. Sci. 298 (1993) 440-449.
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