6H SiC(0001) 表面からの √3x√3 RHEED 図形
入射電子線のエネルギ: 10keV
入射電子線の視射角: 3.7°
入射方位: [12-30]
表面の作製方法: 6H SiC(0001)表面をSiを蒸着しながら加熱
関連文献: Surf. Sci. in press.
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