研究分担者:名古屋大学大学院工学研究科・助教授 秋本晃一
 

分担課題:半導体界面構造解析と制御


    実験装置

チェンバーの写真


表面X線回折用超高真空装置(本科学研究費による)
と耐荷重型ゴニオメータ

小山君の後姿


18kW回転対陰極型X線発生装置(本科学研究費による)
と精密X線回折用ゴニオメータ群


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    研究業績

  1. K.Akimoto, T.Emoto, and A.Ichimiya, Surface and Interface Strains Studied by X-Ray Diffraction, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 505, 409-414, 1998.
  2. T.Yasoshima, T.Koyama, K.Akimoto, A.Ichimiya, C.Sasaoka, and A.Usui, Polarity Determination of GaN Thin Films by X-Ray Standing Wave Method, Proceedings of the 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (2nd ISBLLED), p.620-p.623, Chiba, 1998.
  3. K.Akimoto, M.Lijadi, S.Ito, and A.Ichimiya, Interface structure and preferred orientation of Ag/Si(111) revealed by X-ray diffraction, Surf. Rev. Lett., 5(3&4), 719-722, 1998.
  4. T.Emoto, K.Akimoto, and A.Ichimiya, Observation of Strain Field near Si(111) 7×7 Surface with New X-Ray Diffraction Technique, J. Synchrotron Radiation, 5(3), 964-966, 1998.
  5. A.Tanikawa and K.Akimoto, Energy-Dispersive Grazing Incidence Diffraction with Synchrotron Radiation White X-rays of Very Thin Polycrystalline Silicon Films, Jpn. J. Appl. Phys. 36(9A), 5759-5763, 1997.
  6. 秋本晃一, 谷川明男, X線波動場による薄膜成長制御, 日 本放射光学会誌, 10(2), 133-136, 1997.
  7. 秋本晃一, 多波長異常分散法で半導体界面構造をみる, 日 本結晶学会誌, 39(1), 45-48, 1997.
  8. K.Akimoto, Semiconductor interface structure studied by X-ray diffraction, Sci. Rep. Res. Inst. Tohoku University, A44(2), 195-199, 1997.

所属:名古屋大学・大学院工学研究科量子工学専攻

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    FAX:052-789-3724
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