CVD法によるカーボンナノチューブのパターン成長

次世代平面ディスプレイとして、高速応答、低消費電力といった特長をもつ電界放出型ディスプレイ(FED)が注目されている。このFEDには良好な電子放出材料が必要である。我々は、FED用電子放出材料として有望なカーボンナノチューブ(CNT)をマイクロ波プラズマCVD法により平面基板上にパターン成長させ,これを真空ナノエレクトロニクスへ応用する研究を進めている。写真は,シリコン基板上にパターン成長させたCNTアレイの走査電子顕微鏡像である。CVD法とリフトオフ法の組み合わせにより、CNTの成長本数まで制御できることが特長である。


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名古屋大学工学研究科量子工学専攻 齋藤研究室